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Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21968

Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, Karl, Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2002) Sympos. Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: Klemmer, Timothy J. und Sun, Jonathan Z. und Fert, Albert und Bass, Jack, (eds.) Materials Research Society symposium proceedings; 690. MRS, Warrendale, Pa., F3.11.1. ISBN 1-558-99626-5.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Proceedings_MRS2002sige.pdf


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2196
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