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Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells
Ganichev, Sergey, Rössler, Ulrich, Kalz, Franz-Peter, Prettl, Wilhelm, Neumann, Richard, Brunner, Karl, Abstreiter, Gerhard und Ivchenko, Eougenious (2002) Sympos. Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells. In: Klemmer, Timothy J. und Sun, Jonathan Z. und Fert, Albert und Bass, Jack, (eds.) Materials Research Society symposium proceedings; 690. MRS, Warrendale, Pa., F3.11.1. ISBN 1-558-99626-5.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Buchkapitel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 1-558-99626-5 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | MRS Symp. Proc. eds. T.J. Klemmer, J.S. Sun, A. Fert, and J. Bass |
| Buchtitel: | Materials Research Society symposium proceedings; 690 |
|---|---|
| Verlag: | MRS |
| Ort der Veröffentlichung: | Warrendale, Pa. |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | Sympos |
| Seitenbereich: | F3.11.1 |
| Datum | 2002 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-21968 |
| Dokumenten-ID | 2196 |
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