Terahertz spectroscopy of semiconductors at high excitation level
Ganichev, Sergey (2001) Terahertz spectroscopy of semiconductors at high excitation level. In: Ašmontas, Steponas und Gradauskas, Jonas, (eds.) Smart optical inorganic structures and devices: 16-19 August, 2000, Vilnius, Lithuania. SPIE proceedings series, 4318. SPIE, Bellingham, Washington, S. 140. ISBN 0-8194-4120-1.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Buchkapitel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 0-8194-4120-1 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | in Advanced Optical Materials and Devices, Proc. SPIE , eds. J. Gradauskas and S. Ashmontas |
| Buchtitel: | Smart optical inorganic structures and devices: 16-19 August, 2000, Vilnius, Lithuania |
|---|---|
| Verlag: | SPIE |
| Ort der Veröffentlichung: | Bellingham, Washington |
| Sonstige Reihe: | SPIE proceedings series |
| Band: | 4318 |
| Seitenbereich: | S. 140 |
| Datum | 2001 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2200 |
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