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High-frequency regime of electron tunneling

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22015

Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Perel, V., Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (2001) High-frequency regime of electron tunneling. In: Miura, Noboru und Ando, T., (eds.) Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part I / Part II. Springer Proceedings in Physics, 87. Springer, Berlin, S. 1435. ISBN 3-540-41778-8.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Proceedings_ICPS2000tunn.pdf


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2201
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