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High-frequency regime of electron tunneling
Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Perel, V., Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (2001) High-frequency regime of electron tunneling. In: Miura, Noboru und Ando, T., (eds.) Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part I / Part II. Springer Proceedings in Physics, 87. Springer, Berlin, S. 1435. ISBN 3-540-41778-8.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Buchkapitel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 3-540-41778-8 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Proc. of 25th Int. Conf. on Phys. of Semiconductors, N. Miura, and T. Ando (eds.), Springer-Verlag Berlin-Heidelberg, |
| Buchtitel: | Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part I / Part II |
|---|---|
| Verlag: | Springer |
| Ort der Veröffentlichung: | Berlin |
| Sonstige Reihe: | Springer Proceedings in Physics |
| Band: | 87 |
| Seitenbereich: | S. 1435 |
| Datum | 2001 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22015 |
| Dokumenten-ID | 2201 |
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