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Exchange interaction of electrons with Mn in hybrid AlSb/InAs/ZnMnTe structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-220795

Terentev, Ya. V., Zoth, C., Belkov, Vassilij, Olbrich, Peter, Drexler, C., Lechner, V., Lutz, P., Mukhin, M. S., Tarasenko, S. A., Semenov, A. N., Solovev, V. A., Sedova, I. V., Klimko, G. V., Komissarova, T. A., Ivanov, S. V. und Ganichev, Sergey (2011) Exchange interaction of electrons with Mn in hybrid AlSb/InAs/ZnMnTe structures. Applied Physics Letters 99, 072111.

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Andere URL zum Volltext: http://dx.doi.org/doi/10.1063/1.3624921


Zusammenfassung

Diluted magnetic semiconductor heterovalent AlSb/InAs/ZnMnTe quantum well (QW) structures with an electron channel have been designed and grown applying molecular-beam epitaxy. The enhanced magnetic properties of QWs as a result of the exchange interaction with Mn2+ ions, are proved by measuring the microwave radiation induced spin polarized electric currents.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
DOI:10.1063/1.3624921DOI
Klassifikation:
NotationArt
75.30.EtPACS
75.50.PpPACS
81.15.HiPACS
71.70.GmPACS
Stichwörter / Keywords:aluminium compounds; electric current; exchange interactions (electron); III-V semiconductors; II-VI semiconductors; indium compounds; manganese compounds; molecular beam epitaxial growth; semiconductor quantum wells; semimagnetic semiconductors; wide band gap semiconductors; zinc compounds;
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:07 Sep 2011 08:19
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:31
Dokumenten-ID:22079
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