URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-220795
Terentev, Ya. V., Zoth, C., Belkov, Vassilij, Olbrich, Peter, Drexler, C., Lechner, V., Lutz, P., Mukhin, M. S., Tarasenko, S. A., Semenov, A. N., Solovev, V. A., Sedova, I. V., Klimko, G. V., Komissarova, T. A., Ivanov, S. V. und Ganichev, Sergey (2011) Exchange interaction of electrons with Mn in hybrid AlSb/InAs/ZnMnTe structures. Applied Physics Letters 99, 072111.
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Andere URL zum Volltext: http://dx.doi.org/doi/10.1063/1.3624921
Zusammenfassung
Diluted magnetic semiconductor heterovalent AlSb/InAs/ZnMnTe quantum well (QW) structures with an electron channel have been designed and grown applying molecular-beam epitaxy. The enhanced magnetic properties of QWs as a result of the exchange interaction with Mn2+ ions, are proved by measuring the microwave radiation induced spin polarized electric currents.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 2011 | ||||||||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||||||||
| Projekte: | SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen | ||||||||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Stichwörter / Keywords: | aluminium compounds; electric current; exchange interactions (electron); III-V semiconductors; II-VI semiconductors; indium compounds; manganese compounds; molecular beam epitaxial growth; semiconductor quantum wells; semimagnetic semiconductors; wide band gap semiconductors; zinc compounds; | ||||||||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||||||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||||||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||||||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Zum Teil | ||||||||||
| Eingebracht am: | 07 Sep 2011 08:19 | ||||||||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:31 | ||||||||||
| Dokumenten-ID: | 22079 |
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