Long living shallow donor excited states and FIR-IR up-conversion in GaP:Te
Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina, Raab, W., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1997) Long living shallow donor excited states and FIR-IR up-conversion in GaP:Te. In: Michel, Jürgen und Kennedy, Thomas und Wada, Kazumi und Thonke, Klaus, (eds.) Defects in electronic materials II. Materials Research Society symposium proceedings, 442. Materials Research Society, Pittsburgh, Pa., S. 465. ISBN 1-558-99346-0.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
Buchkapitel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 1-558-99346-0 |
| Buchtitel: | Defects in electronic materials II |
|---|---|
| Verlag: | Materials Research Society |
| Ort der Veröffentlichung: | Pittsburgh, Pa. |
| Sonstige Reihe: | Materials Research Society symposium proceedings |
| Band: | 442 |
| Seitenbereich: | S. 465 |
| Datum | 1997 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2230 |
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