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Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22447

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. Physics of low dimensional structures 12, S. 133-140.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Phys_Low_Dimm_Struct1995p133EffectOfFIR_on_delta.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2244
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