Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Mordovets, N., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. Physics of low dimensional structures 12, S. 133-140.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
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DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2244

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Details

Dokumentenart	Artikel
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift	Physics of low dimensional structures
Verlag:	Moskau: VSV Co.Ltd.
Band:	12
Seitenbereich:	S. 133-140
Datum	1995
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
URN der UB Regensburg	urn:nbn:de:bvb:355-epub-22447
Dokumenten-ID	2244

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