Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon
Buchkapitel
Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1995) Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon. In: Levinštejn, Michail E., (ed.) Best of Soviet semiconductor physics and technology, 1989 - 1990. World Scientific, Singapore, S. 382. ISBN 981-021579-7.Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 981-021579-7 |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Best of Soviet Semiconductor Physics and Technology (1989-1990) ed. by M. Levinstein and M. Shur (World Scientific, Singapore) |
| Buchtitel: | Best of Soviet semiconductor physics and technology, 1989 - 1990 |
|---|---|
| Verlag | World Scientific |
| Ort der Veröffentlichung | Singapore |
| Seitenbereich | S. 382 |
| Datum | 1995 |
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:38 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2248 |
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