The FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors
Ganichev, Sergey, Prettl, Wilhelm und Huggard, P. (1994) The FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors. In: Afsar, Mohammed N., (ed.) Conference digest: 10 - 14 January 1994, San Diego, California. Proceedings / SPIE, 2250. SPIE, Bellingham, Washington, S. 458-459. ISBN 0-8194-1558-8.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
Buchkapitel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Buchkapitel |
| ISBN | 0-8194-1558-8 |
| Buchtitel: | Conference digest: 10 - 14 January 1994, San Diego, California |
|---|---|
| Verlag: | SPIE |
| Ort der Veröffentlichung: | Bellingham, Washington |
| Sonstige Reihe: | Proceedings / SPIE |
| Band: | 2250 |
| Seitenbereich: | S. 458-459 |
| Datum | 1994 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2259 |
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