Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon
Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1990) Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon. Journal of experimental and theoretical physics: JETP 70 (6), S. 1138.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
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Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of experimental and theoretical physics: JETP |
| Verlag: | American Inst. of Physics |
|---|---|
| Band: | 70 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 6 |
| Seitenbereich: | S. 1138 |
| Datum | Juni 1990 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2268 |
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