Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon

Artikel

Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1990) Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon. Journal of experimental and theoretical physics: JETP 70 (6), S. 1138.

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Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Artikel
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift	Journal of experimental and theoretical physics: JETP
Verlag	American Inst. of Physics
Band	70
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels	6
Seitenbereich	S. 1138
Datum	Juni 1990
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:38
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2268

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