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Linear photogalvanic effect in gallium arsenide in submillimeter wavelength region

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22736

Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Lyanda-Geller, Y. und Yaroshetskii, I. (1989) Linear photogalvanic effect in gallium arsenide in submillimeter wavelength region. Crystal properties and preparation 19-20, S. 327-330.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Crystal_Properties_Prepar1989p327_LinearPhotovoltaic327_330.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2273
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