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Light impact ionization in semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22753

Ganichev, Sergey, Dmitriev, A., Emel'yanov, S., Terent'ev, Y., Yaroshetskii, I. und Yassievich, Irina (1988) Light impact ionization in semiconductors. In: Zawadzki, Włodzimierz, (ed.) 19th International Conference on the Physics of Semiconductors. Band 2: Warsaw, Poland, Aug. 15-19, 1988. Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, S. 1373-1376. ISBN 83-00-02465-4.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Proceedings_ICPS1988Warsawp1373impactionization.pdf


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2275
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