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Submillimeter photoconductivity in inversion layers at a silicon surface

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22817

Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1988) Submillimeter photoconductivity in inversion layers at a silicon surface. JETP Letters 48 (5), S. 269-272.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/JETP_Lett1988p269_Submillimeter269_272.pdf


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Dokumentenart:Artikel
Datum:September 1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2281
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