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Submillimeter photoconductivity in inversion layers at a silicon surface
Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1988) Submillimeter photoconductivity in inversion layers at a silicon surface. JETP Letters 48 (5), S. 269-272.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2281
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Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters |
| Verlag: | Interperiodica |
|---|---|
| Band: | 48 |
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 5 |
| Seitenbereich: | S. 269-272 |
| Datum | September 1988 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-22817 |
| Dokumenten-ID | 2281 |
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