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Terahertz radiation induced impact ionization of impurity centers
Ganichev, Sergey, Dmitriev, A. P., Emel'yanov, S. A. und Yassievich, I. N. (2005) Terahertz radiation induced impact ionization of impurity centers. In: 23rd International Conference on Defects in Semiconductors, 24. - 29. Juli 2005, Awaji Island, Hyogo, Japan.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer) |
| Datum | 2005 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2349 |
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