Nonlinear absorption due to terahertz radiation induced band-band impact ionization in InSb bulk crystals
Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (2005) Nonlinear absorption due to terahertz radiation induced band-band impact ionization in InSb bulk crystals. In: 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, 03. - 07. Juli 2005, Toulouse, France.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer) |
| Datum | 2005 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2350 |
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