Zusammenfassung
Es wird die experimentelle Bestimmung des relativen Verhältnisses der Rashba- und Dresselhaus-Terme, durch welche die Spin-Bahn-Wechselwirkung in Halbleiter Quantentrogstrukturen beschrieben wird, an n-leitenden InAs Quantentrögen präsentiert. Eine neue Messtechnik soll dargestellt werden, die sich die Winkelabhängigkeit des spin-galvanischen Effekts und des zirkular photogalvanischen Effekts ...
Zusammenfassung
Es wird die experimentelle Bestimmung des relativen Verhältnisses der Rashba- und Dresselhaus-Terme, durch welche die Spin-Bahn-Wechselwirkung in Halbleiter Quantentrogstrukturen beschrieben wird, an n-leitenden InAs Quantentrögen präsentiert. Eine neue Messtechnik soll dargestellt werden, die sich die Winkelabhängigkeit des spin-galvanischen Effekts und des zirkular photogalvanischen Effekts zunutze macht. Das Verhältnis der Rashba- und Dresselhaus-Koeffizienten kann direkt anhand des Experiments bestimmt werden und bedarf keinerlei durch die Theorie berechneten Größen. Aufgrunddessen eröffnen unsere Experimente einen neuen Weg, die verschiedenen Beiträge zur Spin-Bahn-Wechselwirkung auf einfache Art und Weise zu bestimmen.
Weitere Literatur (mittels CORE)