Abstract
Es wird die experimentelle Bestimmung des relativen Verhältnisses der Rashba- und Dresselhaus-Terme, durch welche die Spin-Bahn-Wechselwirkung in Halbleiter Quantentrogstrukturen beschrieben wird, an n-leitenden InAs Quantentrögen präsentiert. Eine neue Messtechnik soll dargestellt werden, die sich die Winkelabhängigkeit des spin-galvanischen Effekts und des zirkular photogalvanischen Effekts ...
Abstract
Es wird die experimentelle Bestimmung des relativen Verhältnisses der Rashba- und Dresselhaus-Terme, durch welche die Spin-Bahn-Wechselwirkung in Halbleiter Quantentrogstrukturen beschrieben wird, an n-leitenden InAs Quantentrögen präsentiert. Eine neue Messtechnik soll dargestellt werden, die sich die Winkelabhängigkeit des spin-galvanischen Effekts und des zirkular photogalvanischen Effekts zunutze macht. Das Verhältnis der Rashba- und Dresselhaus-Koeffizienten kann direkt anhand des Experiments bestimmt werden und bedarf keinerlei durch die Theorie berechneten Größen. Aufgrunddessen eröffnen unsere Experimente einen neuen Weg, die verschiedenen Beiträge zur Spin-Bahn-Wechselwirkung auf einfache Art und Weise zu bestimmen.
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