Zirkular photogalvanischer Effekt bei Interband-Anregung in Quantentrögen

Abstract

Der zirkular photogalvanische Effekt konnte zum ersten Mal bei Interband-Anregung nachgewiesen werden. Die Messung wurde an p-leitenden (113)A MBE-gewachsenen GaAs/AlGaAs Quantentrögen durchgeführt. Die spektrale Abhängigkeit des Photostroms wurde zusammen mit dem Polarisationsgrad im Energiebereich von 1.45 bis 1.8 eV gemessen. Ergebnisse bzgl. der Spinrelaxationszeiten bei Raumtemperatur in dem untersuchten Spektralbereich werden präsentiert.