The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells
Ganichev, Sergey (2003) The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells. In: 11th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (invited), 16. - 20. Juni 2003, Buffalo, New York, USA.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag) |
| Seitenbereich: | S. 107 |
|---|---|
| Datum | 2003 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2378 |
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