Abstract
In (001)-orientierten n-InAs und GaAs-Quantentrögen wurde ein durch ein äußeres magnetisches Feld induzierter photogalvanischer Effekt beobachtet. Unter linear polarisierter IR- oder FIR-Bestrahlung senkrecht zum Quantentrog entsteht ein elektrischer Strom, sobald man ein magnetisches Feld senkrecht zum Lichtstrahl und parallel zur Ebene des Quantentrogs anlegt. Der Strom fließt in Schichtebene ...
Abstract
In (001)-orientierten n-InAs und GaAs-Quantentrögen wurde ein durch ein äußeres magnetisches Feld induzierter photogalvanischer Effekt beobachtet. Unter linear polarisierter IR- oder FIR-Bestrahlung senkrecht zum Quantentrog entsteht ein elektrischer Strom, sobald man ein magnetisches Feld senkrecht zum Lichtstrahl und parallel zur Ebene des Quantentrogs anlegt. Der Strom fließt in Schichtebene senkrecht zum magnetischen Feld. Dies steht im Gegensatz zum Spingalvanischen Effekt1, bei dem, durch zirkular polarisierte Strahlung verursacht, ein Strom parallel zum magnetischen Feld fliesst. induziert direkte optische Übergänge. Der beobachtete Effekt wird durch k-lineare Spin-Bahn-Aufspaltung und der Verschiebung des Elektronen-Energiespektrums in einem magnetischen Feld verursacht.
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