Ganichev, Sergey ; Ziemann, E. ; Yassievich, Irina ; Perel, V. ; Prettl, Wilhelm

Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization

Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Perel, V. und Prettl, Wilhelm (2000) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization. In: European MRS - IUMRS - ICEM 2000: SYMPOSIUM M: Advanced Characterisation of Semiconductor Materials, 30. Mai – 2. Juni 2000, Strasbourg, France.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Seitenbereich:	M/P15
Datum	2000
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2428

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