Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Yassievich, Irina, Perel, V. und Prettl, Wilhelm (2000) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization. In: European MRS - IUMRS - ICEM 2000: SYMPOSIUM M: Advanced Characterisation of Semiconductor Materials, 30. Mai – 2. Juni 2000, Strasbourg, France.

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Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Seitenbereich	M/P15
Datum	2000
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:39
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2428

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