Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation: from tunneling to multiphoton transitions
Ganichev, Sergey (1999) Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation: from tunneling to multiphoton transitions. In: International Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics (invited), 1999, Kiev, Ukraine.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | S. 8 |
|---|---|
| Datum | 1999 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2429 |
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