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Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation: from tunneling to multiphoton transitions

Ganichev, Sergey (1999) Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation: from tunneling to multiphoton transitions. In: International Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics (invited), 1999, Kiev, Ukraine.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2429
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