Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Ganichev, Sergey (1999) Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) (invited), 26. - 30. Juli 1999, Berkeley, USA.

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Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich	S. 123
Datum	1999
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:39
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2431

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