Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields
Ganichev, Sergey (1999) Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields. In: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) (invited), 26. - 30. Juli 1999, Berkeley, USA.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | S. 123 |
|---|---|
| Datum | 1999 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2431 |
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