Photo-thermo e.m.f. in metal-semiconductor tunnelling junctions due to giant near field of FIR radiation
Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Dizhur, E., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1999) Photo-thermo e.m.f. in metal-semiconductor tunnelling junctions due to giant near field of FIR radiation. In: 4th Russian Conference on Semiconductor Physics: "Semiconductors-99", 25. - 29. Oktober 1999, Novosibirsk, Russia.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | BtB3-4 |
|---|---|
| Datum | 1999 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2436 |
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