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Übergang von Poole-Frenkel-Emission zu phononenunterstützter Tunnelionisation tiefer Störstellen in Halbleitern

Ziemann, E. ; Ganichev, Sergey ; Ketterl, Hermann ; Prettl, Wilhelm


Abstract

Die Ionisation tiefer geladener Störstellen in Halbleitern im elektrischen Feld wird gewöhnlich durch den Poole-Frenkel-Effekt erklärt. Hier wird gezeigt, daß die charakteristische Feldabhängigkeit des Poole-Frenkel-Effekts nur bei genügend kleinen Feldstärken beobachtet werden kann. Bei höheren elektrischen Feldern dominiert die phononenunterstütze Tunnelionisation und überlagert die ...

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