Enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in a high frequency electric field of FIR laser radiation
Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Yassievich, Irina und Perel, V. (1998) Enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in a high frequency electric field of FIR laser radiation. In: 23th International Conference on Infrared and Millimeter Waves,, 7. - 11. September 1998, Wivenhoe Park, Colchester, Essex, UK.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | S. 62 |
|---|---|
| Datum | 1998 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2442 |
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