Enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in a high frequency electric field of FIR laser radiation
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Yassievich, Irina und Perel, V. (1998) Enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in a high frequency electric field of FIR laser radiation. In: 23th International Conference on Infrared and Millimeter Waves,, 7. - 11. September 1998, Wivenhoe Park, Colchester, Essex, UK.Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich | S. 62 |
| Datum | 1998 |
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:39 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2442 |
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