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Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Dizhur, E., Ormont, A., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1998) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 02. - 07. August 1998, Jerusalem, Israel.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1998
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2443
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