Shul'man, A. ; Kotel'nikov, I. ; Ganichev, Sergey ; Dizhur, E. ; Ormont, A. ; Zepezauer, E. ; Prettl, Wilhelm

Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions

Shul'man, A., Kotel'nikov, I., Ganichev, Sergey, Dizhur, E., Ormont, A., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1998) Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions. In: 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 02. - 07. August 1998, Jerusalem, Israel.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum	1998
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2443

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