Ziemann, E. ; Ganichev, Sergey ; Yassievich, Irina ; Prettl, Wilhelm

Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization

Ziemann, E., Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Defect and impurity engineered semiconductors II: MRS Spring Meeting, 13. - 17. April 1998, San-Francisco, California, USA.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Browse Publikationen

Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	S. 83
Datum	1998
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2444

Bibliographische Daten exportieren

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Weitere Literatur (mittels CORE)

nach oben