Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Ziemann, E., Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1998) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunnel ionization. In: Defect and impurity engineered semiconductors II: MRS Spring Meeting, 13. - 17. April 1998, San-Francisco, California, USA.

---

Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

  Browse Publikationen

---

Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich	S. 83
Datum	1998
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:39
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2444

Bibliographische Daten exportieren

ASCII CitationAtomBibTeXData Cite XMLDataCite XML OAIDublin CoreDublin Core (LZV)EndNoteHTML CitationJSONJSON LDMETSMODSOPENAIREOpenAPCRDF+N-TriplesRDF+N3RDF+XMLReferReference ManagerSimple MetadataXMLopenCostxMetaDissPlus

---