Ionization of deep impurity centers by FIR radiation
Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1997) Ionization of deep impurity centers by FIR radiation. In: 3rd Russian conference on semiconductor physics "Semiconductors-97" (invited), 01. - 05. Dezember 1997, Moskau, Russland.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | S. 145 |
|---|---|
| Datum | 1997 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2449 |
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