Ganichev, Sergey ; Ziemann, E. ; Gleim, T. ; Yassievich, Irina ; Prettl, Wilhelm

Frequency dependence of tunnel ionization of deep impurities in terahertz field

Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Gleim, T., Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1997) Frequency dependence of tunnel ionization of deep impurities in terahertz field. In: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19), 21. - 25. Juli 1997, Aveiro, Porto, Portugal.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	S. 313
Datum	1997
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2452

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