Ganichev, Sergey ; Yassievich, Irina ; Raab, W. ; Zepezauer, E. ; Prettl, Wilhelm

Accumulation of carriers in a shallow donor excited state of GaP:Te

Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina, Raab, W., Zepezauer, E. und Prettl, Wilhelm (1997) Accumulation of carriers in a shallow donor excited state of GaP:Te. In: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19), 21. - 25. Juli 1997, Aveiro, Porto, Portugal.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	S. 251
Datum	1997
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2453

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