Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors by intense FIR radiation

Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1996) Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors by intense FIR radiation. In: 21st International Conference on Infrared and Millimeter waves (invited), 14. - 19. Juli 1996, Berlin, Germany.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

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Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum	1996
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2456

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