Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors by intense FIR radiation
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Ganichev, Sergey, Yassievich, Irina und Prettl, Wilhelm (1996) Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors by intense FIR radiation. In: 21st International Conference on Infrared and Millimeter waves (invited), 14. - 19. Juli 1996, Berlin, Germany.Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Datum | 1996 |
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:39 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2456 |
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