Kotel'nikov, I. ; Shul'man, A. ; Ganichev, Sergey ; Prettl, Wilhelm

Influence of near-zone field on photoresistive effect in bulk and delta-doped n-GaAs/metal tunnel junction

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1996) Influence of near-zone field on photoresistive effect in bulk and delta-doped n-GaAs/metal tunnel junction. In: 2nd Russian Conference on Physics of Semiconductors, 1996, St. Petersburg, Russia, 2.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Browse Publikationen

Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Seitenbereich:	S. 179
Datum	1996
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2464

Bibliographische Daten exportieren

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Weitere Literatur (mittels CORE)

nach oben