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Influence of near-zone field on photoresistive effect in bulk and delta-doped n-GaAs/metal tunnel junction

Kotel'nikov, I., Shul'man, A., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1996) Influence of near-zone field on photoresistive effect in bulk and delta-doped n-GaAs/metal tunnel junction. In: 2nd Russian Conference on Physics of Semiconductors, 1996, St. Petersburg, Russia, 2.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum:1996
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2464
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