Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon

Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beregulin, E., Ganichev, Sergey, Gloukh, K., Gusev, G., Kvon, Z., Martisov, M., Shik, A. und Yaroshetskii, I. (1993) Rapid submillimeter photoconductivity and energy relaxation of a two-dimensional electron gas near the surface of silicon. In: 8th International Conference on Hot Carierrs in Semiconductors, 16. - 20. August 1993, Oxford, UK.

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Beteiligte Einrichtungen

• Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev

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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt)
Datum	1993
Veröffentlichungsdatum	05 Aug 2009 13:39
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	2488

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