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Low-temperature photocarrier dynamics in monolayer MoS2

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-265145

Korn, Tobias, Heydrich, Stefanie, Hirmer, Michael, Schmutzler, Johannes und Schüller, Christian (2011) Low-temperature photocarrier dynamics in monolayer MoS2. Applied Physics Letters.

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Zusammenfassung

The band structure of MoS2 strongly depends on the number of layers, and a transition from indirect to direct-gap semiconductor has been observed recently for a single layer of MoS2. Single-layer MoS2 therefore becomes an efficient emitter of photoluminescence even at room temperature. Here, we report on scanning Raman and on temperature-dependent, as well as time-resolved photoluminescence ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:9 September 2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3636402DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.20.JvPACS
73.61.LePACS
78.30.HvPACS
78.55.HxPACS
78.67.-nPACS
68.47.PePACS
Stichwörter / Keywords:band structure, molybdenum compounds, monolayers, photoluminescence, Raman spectra, semiconductor materials
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:23 Okt 2012 06:38
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:34
Dokumenten-ID:26514
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