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Quantum Hall resistance overshoot in two-dimensional (2D) electron gases: theory and experiment

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277684

Sailer, J., Wild, A., Lang, V., Siddiki, A. und Bougeard, Dominique (2010) Quantum Hall resistance overshoot in two-dimensional (2D) electron gases: theory and experiment. New J. Phys. 12, S. 113033.

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Zusammenfassung

We present a systematic experimental investigation of an unusual transport phenomenon observed in two-dimensional (2D) electron gases in Si/SiGe heterostructures under integer quantum Hall effect (IQHE) conditions. This phenomenon emerges under specific experimental conditions and in different material systems. It is commonly referred to as a Hall resistance overshoot but it lacks a consistent ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/12/11DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:27 Feb 2013 14:07
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27768
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