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Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors

Drexler, C., Dyakonova, N., Schafberger, M., Kapierz, K., Karch, J., Videlier, H., Meziani, Y., Olbrich, P., Knap, W. und Ganichev, Sergey (2010) Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors. In: 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 5 - 10 Sept. 2010, Angelicum, Rome, Italy.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Datum:2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:24 Jun 2013 10:19
Zuletzt geändert:24 Jun 2013 10:19
Dokumenten-ID:28398
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