Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Drexler, C., Dyakonova, N., Schafberger, M., Kapierz, K., Karch, J., Videlier, H., Meziani, Y., Olbrich, P., Knap, W. und Ganichev, Sergey (2010) Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors. In: 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 5 - 10 Sept. 2010, Angelicum, Rome, Italy.Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer) |
| Seitenbereich | Tu-P.26 |
| Datum | 2010 |
| Veröffentlichungsdatum | 24 Jun 2013 10:19 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 28398 |
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