Drexler, C. ; Dyakonova, N. ; Schafberger, M. ; Kapierz, K. ; Karch, J. ; Videlier, H. ; Meziani, Y. ; Olbrich, P. ; Knap, W. ; Ganichev, Sergey

Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors

Drexler, C., Dyakonova, N., Schafberger, M., Kapierz, K., Karch, J., Videlier, H., Meziani, Y., Olbrich, P., Knap, W. und Ganichev, Sergey (2010) Detection of high power THz radiation by GaAs high electron mobility and Si field effect transistors. In: 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 5 - 10 Sept. 2010, Angelicum, Rome, Italy.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Jun 2013 10:19
Konferenz- oder Workshop-Beitrag

Beteiligte Einrichtungen

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Details

Dokumentenart	Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Seitenbereich:	Tu-P.26
Datum	2010
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Veröffentlicht
Begutachtet	Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	28398

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