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Exchange energy and impurity band effects in the I-V characteristics of (Ga,Mn) As/GaAs spin injectors

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-312563

Pereyra, Pedro und Weiss, Dieter (2014) Exchange energy and impurity band effects in the I-V characteristics of (Ga,Mn) As/GaAs spin injectors. Physical Review B (PRB) 90, S. 245310.

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Zusammenfassung

A different approach to calculate the I−V characteristics of p+(Ga,Mn)As/n+GaAs spin injectors is presented. The vanishing of the spin-extraction transmission coefficients at the spin-split valence-band edges leads us to predict a dip or plateau in the I−V characteristics of this kind of diodes. We show that this minimum, or the inflection point, shifts with the exchange energy. Within this ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:30 Dezember 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.90.245310DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.25.Hg, 71.70.Gm, 72.25.Mk, 85.75.−dPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:02 Feb 2015 12:35
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31256
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