Go to content
UR Home

Inverse spin Hall effect in metallic heterostructures

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-333815
DOI to cite this document:
10.5283/epub.33381
Obstbaum, Martin
Date of publication of this fulltext: 17 Mar 2016 06:20


Abstract (English)

The inverse spin Hall effect (ISHE) arises from spin dependent scattering. It signifies a conversion of a longitudinal spin current into a transversal charge current. This enables spin current sensors using conventional charge-based electronics leveraging advances in technology, e.g., towards the development of magnetization based universal memory concepts, and a fundamental understanding of ...

plus

Translation of the abstract (German)

Der inverse Spin-Hall-Effekt hat seine Ursache in Spin-abhängiger Streuung. Er bezeichnet den Effekt, dass ein longitudinaler Spin-Strom in einen transversalen Ladungs-Strom umgewandelt wird. Diese Tatsache ermöglicht die Herstellung von Spin-Strom-Sensoren welche auf konventioneller, Ladungs-basierter Elektronik beruhen. Diese können wirksam eingesetzt werden um sowohl technologische ...

plus


Owner only: item control page
  1. Homepage UR

University Library

Publication Server

Contact:

Publishing: oa@ur.de
0941 943 -4239 or -69394

Dissertations: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Research data: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Contact persons