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Thermoelectric Effects in Nanowire-Based MOSFETs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-350147

Bosisio, Riccardo, Fleury, Geneviève, Gorini, Cosimo und Pichard, Jean-Louis (2017) Thermoelectric Effects in Nanowire-Based MOSFETs. Advances in Physics: X 2, S. 344.

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Zusammenfassung

We review a series of works describing thermoelectric effects in gated disordered nanowires (field effect transistor device configuration). After considering the elastic coherent regime characterizing sub-Kelvin temperatures, we study the inelastic activated regime occurring at higher temperatures, where electronic transport is dominated by phonon-assisted hops between localised states (Mott ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2017
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Identifikationsnummer:
WertTyp
1612.07581arXiv-ID
10.1080/23746149.2017.1290547DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://dx.doi.org/10.1080/23746149.2017.1290547Verlag
https://arxiv.org/abs/1612.07581Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:02 Jan 2017 12:35
Zuletzt geändert:07 Apr 2017 14:50
Dokumenten-ID:35014
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