URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-350147
Bosisio, Riccardo, Fleury, Geneviève, Gorini, Cosimo und Pichard, Jean-Louis (2017) Thermoelectric Effects in Nanowire-Based MOSFETs. Advances in Physics: X 2, S. 344.
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Zusammenfassung
We review a series of works describing thermoelectric effects in gated disordered nanowires (field effect transistor device configuration). After considering the elastic coherent regime characterizing sub-Kelvin temperatures, we study the inelastic activated regime occurring at higher temperatures, where electronic transport is dominated by phonon-assisted hops between localised states (Mott ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 2017 | ||||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter | ||||||
| Identifikationsnummer: |
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| Verwandte URLs: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Zum Teil | ||||||
| Eingebracht am: | 02 Jan 2017 12:35 | ||||||
| Zuletzt geändert: | 01 Jun 2018 15:25 | ||||||
| Dokumenten-ID: | 35014 |
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