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Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in the GaGeTe-type structures

Pielnhofer, F., Menshchikova, I. , Rusinov, P., Zeugner, A., Sklyadneva, I. Yu., Heid, R. , Bohnen, K.-P., Golup, P., Baranov, I., Chulkov, Evgueni V., Pfitzner, Arno , Ruck, M. und Isaeva, A. (2017) Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in the GaGeTe-type structures. J. Mater. Chem. C 5 (19), S. 4752-4762.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 06 Jul 2017 06:07

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Zusammenfassung

State-of-the-art theoretical studies anticipate a 2D Dirac system in the "heavy'' analogues of graphene, free-standing buckled honeycomb-like Xenes (X = Si, Ge, Sn, Pb, etc.). Herewith we regard a 2D sheet, which structurally and electronically resembles Xenes, in a 3D periodic, rhombohedral structure of layered AXTe (A = Ga, In; X = Ge, Sn) bulk materials. This structural family is predicted to ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2017
Institutionen:Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Lehrstuhl Prof. Dr. Arno Pfitzner
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1039/c7tc00390kDOI
Stichwörter / Keywords:MIXED-BASIS APPROACH; SPIN HALL INSULATOR; ELECTRONIC-STRUCTURE; AB-INITIO; ZINTL PHASE; ENERGY; LOCALIZATION; GERMANANE; MOLECULES; CRYSTAL;
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Dokumenten-ID:35804
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