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Galeeva, Alexandra V. ; Krylov, Ivan V. ; Drozdov, Konstantin A. ; Knjazev, Anatoly F. ; Kochura, Alexey V. ; Kuzmenko, Alexander P. ; Zakhvalinskii, Vasily S. ; Danilov, Sergey N. ; Ryabova, Ludmila I. ; Khokhlov, Dmitry R.

Electron energy relaxation under terahertz excitation in (Cd1− x Zn x )3As2 Dirac semimetals

Galeeva, Alexandra V., Krylov, Ivan V., Drozdov, Konstantin A., Knjazev, Anatoly F., Kochura, Alexey V. , Kuzmenko, Alexander P., Zakhvalinskii, Vasily S. , Danilov, Sergey N., Ryabova, Ludmila I. und Khokhlov, Dmitry R. (2017) Electron energy relaxation under terahertz excitation in (Cd1− x Zn x )3As2 Dirac semimetals. Beilstein Journal of Nanotechnology 8, S. 167-171.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2019 12:51
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftBeilstein Journal of Nanotechnology
Verlag:BEILSTEIN-INSTITUT
Ort der Veröffentlichung:FRANKFURT AM MAIN
Band:8
Seitenbereich:S. 167-171
Datum2017
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.3762/bjnano.8.17DOI
Stichwörter / KeywordsTOPOLOGICAL CRYSTALLINE INSULATORS; TUNNELING IONIZATION; FIELDS; RADIATION; CENTERS; STATES; CD3AS2; PHASE; Dirac semimetal; photo-electromagnetic effect; terahertz radiation; topological insulator
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID38806

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