Terahertz Photoconductivity in Hg1−x Cd x Te near the transition from the direct to inverted spectrum
Artikel
Galeeva, A. V., Artamkin, A. I., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Danilov, S. N., Ryabova, L. I. und Khokhlov, D. R. (2017) Terahertz Photoconductivity in Hg1−x Cd x Te near the transition from the direct to inverted spectrum. JETP Letters 106 (3), S. 162-166.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters | ||||
| Verlag | MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER | ||||
| Ort der Veröffentlichung | NEW YORK | ||||
| Band | 106 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 3 | ||||
| Seitenbereich | S. 162-166 | ||||
| Datum | 2017 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 20 Mrz 2019 13:02 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | GAPLESS SEMICONDUCTOR; STATES; INSULATORS; GAP; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 39271 |
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