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Pincelli, T. ; Lollobrigida, V. ; Borgatti, F. ; Regoutz, A. ; Gobaut, B. ; Schlueter, C. ; Lee, T. -L. ; Payne, D. J. ; Oura, M. ; Tamasaku, K. ; Petrov, A. Y. ; Graziosi, P. ; Granozio, F. Miletto ; Cavallini, M. ; Vinai, G. ; Ciprian, R. ; Back, C. H. ; Rossi, G. ; Taguchi, M. ; Daimon, H. ; van der Laan, G. ; Panaccione, G.

Quantifying the critical thickness of electron hybridization in spintronics materials

Pincelli, T., Lollobrigida, V., Borgatti, F., Regoutz, A. , Gobaut, B. , Schlueter, C., Lee, T. -L., Payne, D. J., Oura, M., Tamasaku, K., Petrov, A. Y., Graziosi, P. , Granozio, F. Miletto, Cavallini, M., Vinai, G. , Ciprian, R. , Back, C. H. , Rossi, G., Taguchi, M., Daimon, H., van der Laan, G. und Panaccione, G. (2017) Quantifying the critical thickness of electron hybridization in spintronics materials. Nature Communications 8, S. 16051.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2019 13:04
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftNature Communications
Verlag:Nature
Ort der Veröffentlichung:LONDON
Band:8
Seitenbereich:S. 16051
Datum2017
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1038/ncomms16051DOI
Stichwörter / KeywordsMETAL-INSULATOR-TRANSITION; LEVEL LINE-SHAPES; PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY; SPECTRA; TEMPERATURE; GA1-XMNXAS; MN; SEMICONDUCTORS; PHOTOELECTRON; PHASE;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID39362

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