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Pincelli, T. ; Lollobrigida, V. ; Borgatti, F. ; Regoutz, A. ; Gobaut, B. ; Schlueter, C. ; Lee, T. -L. ; Payne, D. J. ; Oura, M. ; Tamasaku, K. ; Petrov, A. Y. ; Graziosi, P. ; Granozio, F. Miletto ; Cavallini, M. ; Vinai, G. ; Ciprian, R. ; Back, C. H. ; Rossi, G. ; Taguchi, M. ; Daimon, H. ; van der Laan, G. ; Panaccione, G.

Quantifying the critical thickness of electron hybridization in spintronics materials

Artikel

Pincelli, T., Lollobrigida, V., Borgatti, F., Regoutz, A. , Gobaut, B. , Schlueter, C., Lee, T. -L., Payne, D. J., Oura, M., Tamasaku, K., Petrov, A. Y., Graziosi, P. , Granozio, F. Miletto, Cavallini, M., Vinai, G. , Ciprian, R. , Back, C. H. , Rossi, G., Taguchi, M., Daimon, H., van der Laan, G. und Panaccione, G. (2017) Quantifying the critical thickness of electron hybridization in spintronics materials. Nature Communications 8, S. 16051.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftNature Communications
VerlagNature
Ort der VeröffentlichungLONDON
Band8
SeitenbereichS. 16051
Datum2017
Veröffentlichungsdatum20 Mrz 2019 13:04
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1038/ncomms16051DOI
Stichwörter / KeywordsMETAL-INSULATOR-TRANSITION; LEVEL LINE-SHAPES; PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY; SPECTRA; TEMPERATURE; GA1-XMNXAS; MN; SEMICONDUCTORS; PHOTOELECTRON; PHASE;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID39362

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