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Reststrahl band-assisted photocurrents in epitaxial graphene layers

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-398673
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.39867
Olbrich, Peter ; Drexler, Christoph ; Golub, Leonid E. ; Danilov, Sergey N. ; Shalygin, V. A. ; Yakimova, R. ; Lara-Avila, S. ; Kubatkin, S. ; Redlich, B. ; Huber, Rupert ; Ganichev, Sergey
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 27 Mrz 2019 15:05



Zusammenfassung

We report on the observation of the reststrahl band-assisted photocurrents in epitaxial graphene on SiC excited by infrared radiation. The peculiar spectral dependence for frequencies lying within the reststrahl band of the SiC substrate provides a direct and noninvasive way to probe the electric field magnitude at atomic distances from the material's surface. Furthermore our results reveal that ...

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