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Terahertz Laser Radiation Induced Resistivity Oscillations in GaAs Heterostructures

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-400449
Herrmann, Tobias
Date of publication of this fulltext: 02 Apr 2019 08:47


Abstract (English)

This thesis reports on the observation and analysis of microwave induced resisitivity oscillations induced by THz laser radiation in GaAs heterostructures. By selective excitation of the bulk and boundaries of the GaAs 2DEG samples, the study demonstrates that MIRO are caused in the bulk for all applied frequencies in the THz range. The oscillations are analyzed in the framework of the inelastic ...

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Translation of the abstract (German)

Diese Arbeit befasst sich mit THz-Laserstrahlung induzierten Oszillationen des spezifischen Widerstands (TIRO) in GaAs-Heterostrukturen. Durch selektive Anregung des Volumens und der Grenzen der GaAs-2DEG-Proben zeigt die Studie, dass TIRO für alle angewandten Frequenzen im THz-Bereich im Volumen verursacht werden. Die Schwingungen werden im Rahmen des Inelastischen- und des ...

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