Internal quantum efficiency and carrier injection efficiency ofc-plane, {101‾1} and {112‾2} InGaN/GaN-based light-emitting diodes
Wang, Junjun, Meisch, Tobias, Heinz, Dominik, Zeller, Raphael und Scholz, Ferdinand (2015) Internal quantum efficiency and carrier injection efficiency ofc-plane, {101‾1} and {112‾2} InGaN/GaN-based light-emitting diodes. physica status solidi (b) 253 (1), S. 174-179.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 10:56
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Band: | 253 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 | ||||
| Seitenbereich: | S. 174-179 | ||||
| Datum | 2015 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 41767 |
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