Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy
Artikel
Mohajerani, M. S., Khachadorian, S., Schimpke, T., Nenstiel, C., Hartmann, J., Ledig, J., Avramescu, A., Strassburg, M., Hoffmann, A. und Waag, A. (2016) Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy. Applied Physics Letters 108 (9), 091112.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band | 108 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 9 | ||||
| Seitenbereich | 091112 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 17 Mrz 2020 11:01 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 41888 |
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