Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy
Mohajerani, M. S., Khachadorian, S., Schimpke, T., Nenstiel, C., Hartmann, J., Ledig, J., Avramescu, A., Strassburg, M., Hoffmann, A. und Waag, A. (2016) Evaluation of local free carrier concentrations in individual heavily-doped GaN:Si micro-rods by micro-Raman spectroscopy. Applied Physics Letters 108 (9), 091112.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:01
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band: | 108 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 9 | ||||
| Seitenbereich: | 091112 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 41888 |
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