Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires
Artikel
Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S. und Waag, A. (2016) Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires. Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band | 108 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 21 | ||||
| Seitenbereich | S. 213503 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 17 Mrz 2020 11:26 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42199 |
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