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Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires
Yu, F., Rümmler, D., Hartmann, J., Caccamo, L., Schimpke, T., Strassburg, M., Gad, A. E., Bakin, A., Wehmann, H.-H., Witzigmann, B., Wasisto, H. S. und Waag, A. (2016) Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires. Applied Physics Letters 108 (21), S. 213503.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:26
Artikel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band: | 108 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 21 | ||||
| Seitenbereich: | S. 213503 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42199 |
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