Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes
De Santi, C., Meneghini, M., La Grassa, M., Galler, B., Zeisel, R., Goano, M., Dominici, S., Mandurrino, M., Bertazzi, F., Robidas, D., Meneghesso, G. und Zanoni, E. (2016) Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes. Journal of Applied Physics 119 (9), 094501.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:28
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Band: | 119 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 9 | ||||
| Seitenbereich: | 094501 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42396 |
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