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Dankwort, T. ; Duppel, V. ; Deiseroth, H.-J. ; Reiner, C. ; Schlosser, M. ; Kienle, L.

Nanostructure investigation of the layered ternary compound Ni3–xSn1–yTe2

Dankwort, T., Duppel, V., Deiseroth, H.-J., Reiner, C., Schlosser, M. und Kienle, L. (2016) Nanostructure investigation of the layered ternary compound Ni3–xSn1–yTe2. Semiconductor Science and Technology 31 (9), 094001.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:28
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftSemiconductor Science and Technology
Verlag:IOP PUBLISHING LTD
Ort der Veröffentlichung:BRISTOL
Band:31
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:9
Seitenbereich:094001
Datum2016
InstitutionenChemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1088/0268-1242/31/9/094001DOI
Stichwörter / KeywordsCRYSTAL-STRUCTURE; SYSTEM; TOOLS; transmission electron microscpy; nickel telluride; tin telluride; van der waals gap filling; NiAs type structure; layered compound
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID42424

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