Nanostructure investigation of the layered ternary compound Ni3–xSn1–yTe2
Artikel
Dankwort, T., Duppel, V., Deiseroth, H.-J., Reiner, C., Schlosser, M.
und Kienle, L.
(2016)
Nanostructure investigation of the layered ternary compound Ni3–xSn1–yTe2.
Semiconductor Science and Technology 31 (9), 094001.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductor Science and Technology | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 31 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 9 | ||||
| Seitenbereich | 094001 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 17 Mrz 2020 11:28 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | CRYSTAL-STRUCTURE; SYSTEM; TOOLS; transmission electron microscpy; nickel telluride; tin telluride; van der waals gap filling; NiAs type structure; layered compound | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42424 |
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