Characterization of reclaimed GaAs substrates and investigation of reuse for thin film InGaAlP LED epitaxial growth
Englhard, M., Klemp, C., Behringer, M., Rudolph, A., Skibitzki, O., Zaumseil, P. und Schroeder, T. (2016) Characterization of reclaimed GaAs substrates and investigation of reuse for thin film InGaAlP LED epitaxial growth. Journal of Applied Physics 120 (4), 045301.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:34
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Band: | 120 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 4 | ||||
| Seitenbereich: | 045301 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42603 |
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